[특허침해 분쟁] 삼성전자가 KAIST에 대해 4억달러의 손해를 배상하라는 미국 배심원의 평결

서울대학교 전기정보공학부 이종호 교수의 3차원 구조의 FinFET 특허에 대한 미국 배심원 평결이 지난 주에 있었습니다. 미국 소송 당사자인 KAIST의 미국법인 KASIT IP US LLC가 2016. 11. 26 삼성전자를 상대로 미국 법원(ED Texas Marshall division)에 제기한 특허침해소송에서 배심평결(Jury Verdict)가 지난 금요일 2018. 6. 15 나왔습니다.

배심평결에 의하면, 삼성전자가 제조 및 판매한 메모리 반도체칩이 FinFET에 대한 미국특허 US Patent No. 6,885,055를 침해한 것으로 인정되었고, 그 손해액으로 $400 million(약 4천4백억원)을 인정하였습니다. 참고로, 삼성이 위 미국특허의 무효를 주장하는 IPR 신청은 기각되었습니다.

정회목 변호사