특허법원 2020. 9. 18.
선고 2018나2322 판결
1.
판결의 요지
원고는 피고 회사의 연구팀 팀장으로 근무하던 중 학회에 출장하였던 부하직원과 상의하여 반도체 구조와 공법에 관한 직무발명신고서를 작성하게 하였고, 그 후 피고는 그에 관련된 특허를 대한민국, 미국, 일본, 중국에 출원하여 등록을 받았으며, 반도체 제품을 생산하였다(이 사건 특허권은 미국 특허권이다). 원고는 피고의 이 사건 특허권은 원고가 공동발명한 직무발명에 기인한 것이며 피고 제품은 특허권의 실시 제품에 해당한다고 주장하며 직무발명에 대한 정당한 보상금의 지급을 구하는 소를 제기하였다.
(1)
원고가 이 사건 직무발명의 공동발명자인지 여부를 본다. 공동발명자가 되기 위해서는 발명의 완성을 위하여 실질적으로 상호 협력하는 관계가 있어야 하고, 기술적 사상의 창작행위에 실질적으로 기여하기에 이르러야 한다. 원고의 경력과 직책, 부하직원이 학회에서 발명한 논문의 주제, 직무발명신고서의 기재 등을 종합하면, 원고는 직무발명의 공동발명자로 인정할 수 있다.
특허권이 직무발명이 직무발명에 대한 것인지 본다. 직무발명 신고서에는 앞서 본 것처럼 LEG 공정에 의해 단결정 채널을 형성하고, 열산화 공정을 통해 터널산화막을 형성한다는 기술수단에 관하여 기재되어 있고, 위 기술수단은 수직 채널을 폴리실리콘으로 하고 터널산화막은 화학기상증착(CVD) 공정으로 형성하였을 때에 발생하는 문제들을 해결하기 하여 채택된 것으로서 이 사건 직무발명의 기술적 출발점으로 볼 수 있다. 직무발명은 수직 채널의 주위로 전하저장층과 게이트 전극이 형성되는 3D VNAND에 관한 발명으로서, 메모리 소자의 성능 향상을 위해 LEG 공정에 의한 단결정 수직 채널 및 열산화 공정에 의한 터널산화막을 포함하는 3D VNAND의 제조방법을 제시하는 것에서 출발한 것인 점, 직무발명은 공정상 Gate Last 방식을 채택하였고 그로부터 주요한 기술적 특징들이 도출되는 점의 의의가 있다. 피고는 Gate Last 방식이 공지기술이며 그 기술내용도 피고가 이미 보유하던 특허기술에 불과하다고 주장하나, 직무발명의 기술적 의의를 판단하기 위해서는 기술내용을 종합적으로 고려하여 이 사건 직무발명이 일체의 발명으로서 구현하는 기술사상이 무엇인지를 탐구하여야 하므로 피고 주장사유는 직접적 고려사항이 되기 어려운 점 등을 고려하면 피고의 주장은 받아들이지 아니한다.
직무발명과 제1항, 제11항 특허발명의 기술구성을 공정순서, 전하저장층의 형성방식, 블로킹 막의 형상, 게이트 물질의 가공변경의 면에서 대비한 결과를 종합하면, 제1항, 제11항 특허발명의 명세서는 직무발명의 기술적 특징을 그대로 반영한 기술내용을 담고 있다고 할 것이므로, 제1항, 제11항 특허발명에 관한 이 사건 특허권은 이 사건 직무발명에 대한 것이라고 보아야 한다.
직무발명은 피고에 고용된 원고와 부하직원이 그 직무에 관하여 한 발명으로서 성질상 피고의 업무 범위에 속하고, 직무발명을 하게 된 행위도 원고와 부하직원의 당시 직무에 속하므로, 직무발명은 구 발명진흥법(2013. 7. 30. 법률 제11960호로 개정되기 전의 것)에 따른 정당한 보상의 대상이 된다. 따라서 직무발명에 대한 특허를 받을 권리를 승계한 사용자인 피고는 원고에게 이 사건 직무발명에 대한 보상금으로서 원고가 구하는 특허권의 실시에 따른 보상금을 그 정당한 범위에서 지급할 의무가 있다.
(2)
피고의 사용자 이익에 관하여 본다. 제1항, 제11항 특허발명은 모두 앞서 본 것처럼 3D NAND에 Gate Last 공정을 도입하여 제조되는 반도체 소자에 관한 것으로서, ‘ㄷ’자 형상의 블로킹 막이 형성됨을 그 기술구성으로 하는 것이다. 이 사건 특허권은 직무발명에 대한 것이고 또한 그 특허권의 효력을 정하는 제1항, 제11항 특허발명의 청구범위에는 채널 영역 형성 방식에 관한 한정사항이 존재하지 아니하므로, 피고가 주장하는 ‘LEG 공정에 의한 단결정 채널’의 채부에 관한 위의 사정은 피고 제품이 이 사건 특허권을 실시한 제품에 해당하지 아니한다거나 그에 따라 피고의 이익이 존재하지 아니한다고 볼 만한 사유가 되지 못한다. 피고 제품에는 게이트 패턴과 접하고 있는 ‘둘러싸는 형상’의 블로킹 막과 별도로 ‘I’자 형상의 절연막이 더 구비되어 있지만, 사정을 종합하면 제1항, 제11항 특허발명의 ‘ㄷ’자 형상으로 한정된 블로킹 막에 대한 피고 제품의 대응구성은, 별도의 ‘I’자 형상 절연막이 아니라 게이트 패턴과 접하고 있는 ‘둘러싸는 형상’ 즉 ‘ㄷ‘자 형상의 블로킹 막이라고 할 것이다. 피고 제품은 제1항, 제11항 특허발명의 전체 구성요소를 모두 구비하는 것이어서, 피고 제품의 제조·판매는 제1항, 제11항 특허발명에 기한 이 사건 특허권을 실시하는 것이라고 보아야 한다. 피고 제품이 직무발명 신고서의 개시내용과 대비하여 볼 때 일부 공정상의 차이를 보이고 그에 따른 장점을 가진다고 하더라도 앞서의 판단에는 장애가 되지 아니한다. 다만 이러한 차이는 '독점권 기여율'에서 고려한다.
(3)
피고 제품의 미국 지역 매출액에는 다툼이 없다(원고는 미국 외 지역에서 제조·판매된 피고 제품 상당부분도 가공되어 미국에서 유통되므로 피고의 독점적 이익은 전세계 이익을 기준으로 산정되어야 한다고 주장하나, 이는 특허법의 속지주의 원칙과 구체적 사정 등에 비추어 받아들이지 아니한다).
정당한 보상액 산정의 기초가 되는 사용자 이익으로서 피고 제품 매출액 중 특허권의 실시에 따른 초과매출액을 직접적으로 증명하는 것은 상당한 어려움이 있으므로, 이른바 ‘가상 실시료 요율’을 위와 같은 초과매출액을 산정하기 위한 비율로 삼기로 한다. 피고 제품이 속하는 반도체 분야에서 분석대상이 되는 실시료 요율의 중앙값인 2.8%라는 수치에, 반도체 분야의 포괄적 실시허락에 관한 일반적 경향 등을 더하여 보면, 단일한 특허권의 가상의 실시료율은 2%로 정함이 타당하다.
초과매출액 중 독점배타적 실시에 따른 초과이익, 즉 통상실시권을 넘어 직무발명을 독점적·배타적으로 실시할 수 있는 지위를 취득함으로써 얻을 이익을 본다. 이 사건 특허권은 Gate Last 방식에서 ‘ㄷ’자 형상으로 블로킹 막을 형성한다는 개념의 피고의 기존 기술을 3D VNAND에 접목함으로써 금속 게이트의 구현이 용이하도록 하였다는 것, 즉 저장용량 증대를 위해 새롭게 모색되던 3D VNAND 기술에 피고의 위 기존 기술을 그대로 접목하는 것으로 향후 제품개발의 방향을 정하였다는 데에서 그 핵심적인 가치를 찾을 수 있다. 특허권은 진보성이 부정되는 무효사유가 있는 점, 피고 제품에는 메모리 소자 이외도 여러 부품들이 포함된 점, 피고 제품의 경쟁력 확보에는 피고의 차별화된 기존 기술력과 피고의 기술개발노력이 함께 반영된 점 등을 종합하면, 특허권 실시에 따른 초과매출액 중에서 초과이익이 차지하는 비율로서 독점권 기여율은 5%라고 정함이 타당하다.
(4)
피고의 기존 기술과 연구개발 성과가 없었다면 이 사건 직무발명에 이르기 어려웠을 것인 점, 피고도 새로운 메모리 소자의 개발을 위해 지속적인 투자를 해 온 점 등에 비추어 보면, 피고가 직무발명 완성에 기여한 사용자 공헌도는 80%로 정함이 타당하다. 직무발명의 배경, 직무발명 신고서의 지분율 기재 등을 종합하면, 발명자 기여율은 직무발명 완성 경위에 관하여 잘 알고 있었을 것으로 보이는 부하직원과 원고 사이에 이의 없이 확인된 것으로 추단되는 30%의 비율에 상당하다고 봄이 타당하다.
2.
사실관계
가. 직무발명신고
1)
피고는 반도체 및 관련 제품의 제조․판매업 등을 하는 회사이고, 원고는 2003. 4.경 피고에 입사하여 2009. 5.경까지 피고 반도체연구소의 공정개발팀에서 수석연구원으로 근무하다가 2014. 8.경 퇴사하였다.
2)
위 공정개발팀에서는
2005년경부터
VNAND 플래시 메모리(Vertical NAND Flash Memory)
소자에 관한 연구가 진행되고 있었다. 위 공정개발팀에서 연구원으로 근무하던 D은 2007. 7.경 피고에게, 발명자를 원고와 D의 2인으로 하고, 발명의 명칭을 ‘Vertical String을 이용한 Stack Flash Memory 형성 방법’으로 하며, 별지1과 같은 내용이 담긴 직무발명 신고서(을 제1호증의 1)를 제출하였다(위 신고서에 따른 발명을 이하 ‘이 사건 직무발명’이라 한다). 피고는 2007. 7. 30.경 이 사건 직무발명에 대한 특허를 받을 권리를 승계하였다.
나. 미국특허출원
피고는 아래와 같이 미국에서 특허를 출원하여 등록받았다.
1)
발명의 명칭: Vertical-Type Non-Volatile
Memory Devices(수직타입 비휘발성 메모리 소자)
2)
출원일/ 등록일/ 등록번호: 2012. 8. 6./ 2013.
7. 23./ US 8,492,828
3)
발명자: 원고, D
4)
특허권자: 피고
5)
청구범위
【청구항 1】기판 위에 구비되는 복수의 층간 절연막(interlayer
dielectric layer),
인접하는 하부 층간 절연막과 상부 층간 절연막 사이에 구비되는 복수의 게이트 패턴(gate pattern), 복수의 층간 절연막과 복수의 게이트 패턴을 통과하여 수직 방향으로 연장되는 수직 채널(vertical channel), 각 게이트 패턴과 수직 채널 사이에 위치하여 게이트 패턴을 수직 채널로부터 절연시키는 게이트 절연막(gate insulating
layer) 및 각 게이트 패턴과 그에 대응되는 수직 채널 사이에 구비되는 블로킹 막(blocking layer)을 포함하고, 상기 블로킹 막(blocking layer)은 게이트 패턴과 게이트 절연막 사이에서 수직 방향으로 연장되는 첫 번째 부분(first portion), 게이트 패턴과 인접하는 상부층간 절연막 사이에서 수평 방향으로 연장되는 두 번째 부분(second portion), 그리고 게이트 패턴과 인접하는 하부 층간 절연막 사이에서 수평 방향으로 연장되는 세 번째 부분(third portion)을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자(semiconductor device, 이하 ‘제1항 특허발명’이라 한다).
다. 피고 제품의 생산
1)
피고는
2013년경 세계 최초로 아래 그림과 같은 구조의 3D VNAND 제품(이하 ‘피고 제품’이라 한다)을 제조․판매하기 시작하였다.
2)
피고가
2013년부터
2017년까지 피고 제품을 미국에서 제조․판매하여 올린 매출액은 합계 7,221,690,830,000원에 이른다
3.
직무발명 여부
1)
이상과 같이 원고는 이 사건 직무발명의 공동발명자에 해당하고, 제1항․제11항 특허발명에 관한 이 사건 특허권은 이 사건 직무발명에 대한 것이라고 할 것이다. 그리고 이 사건 직무발명은 피고에 고용된 원고와 D이 그 직무에 관하여 한 발명으로서 성질상 피고의 업무 범위에 속하고, 이 사건 직무발명을 하게 된 행위도 원고와 D의 당시 직무에 속하므로, 이 사건 직무발명은 구 발명진흥법(2013. 7. 30. 법률 제11960
호로 개정되기 전의 것, 이하 같다)에 따른 정당한 보상의 대상이 된다.
2)
따라서 이 사건 직무발명에 대한 특허를 받을 권리를 승계한 사용자인 피고는 원고에게 이 사건 직무발명에 대한 보상금으로서 원고가 구하는 이 사건 특허권의 실시에 따른 보상금을 그 정당한 범위에서 지급할 의무가 있다.
4.
보상금의 범위
가. 원고 주장의 요지
1)
피고가
2013년부터
2017년까지 피고 제품을 제조․판매하여 이 사건 특허권을 실시함에 따른 보상금을 지급할 의무가 있다. 그 실시보상금의 액수는, 주위적으로 영업이익률에 의하여 계산하면 약 946,800,000,000원[= 초과이익 약 3,787,000,000,000원{= 2015년 231,000,000,000원(= 초과매출액 890,000,000,000원 × 영업이익률 26%) + 2016년 1,380,000,000,000원(= 초과매출액 3,000,000,000,000원 × 영업이익률 46%) + 2017년 2,176,000,000,000원(= 초과매출액 4,946,000,000,000원 × 영업이익률 26%)} × 발명자 공헌도 50% × 발명자 기여율 50%]에, 예비적으로 가상 실시료 요율에 의하여 계산하면 221,107,148,100원(= 매출액 22,853,452,000,000원 × 가상 실시료 요율 4.3% × 독점권 기여율 50% × 발명자 공헌도 90% × 발명자 기여율 50%)에 각 이른다.
2)
따라서 피고는 원고에게 이 사건 직무발명에 대한 정당한 보상금 중 위 일부기간에 대한 실시보상금 일부금으로 30,000,000,100원을 지급하여야 한다.
나. 피고의 사용자 이익
1)
이 사건 특허권의 실시 여부
이상을 종합하면, 피고 제품은 제1항․제11항 특허발명의 전체 구성요소를 모두 구비하는 것이어서, 피고 제품의 제조․판매는 제1항․제11항 특허발명에 기한 이 사건 특허권을 실시하는 것이라고 보아야 한다.
2)
피고 제품의 매출액
가) 미국 내에서의 매출액
피고가 2013년부터 2017년까지 피고 제품을 미국에서 제조․판매하여 올린 매출액이 합계 7,221,690,830,000원에 이른다는 점은 앞서 본 바와 같다. 이를 피고의 사용자 이익을 산정하기 위한 피고 제품의 매출액으로 본다
결국 피고 제품의 매출액에 관한 원고의 주장에 관하여는, 미국에서 제조․판매된 피고 제품의 앞서 본 매출액 범위에서 받아들일 수 있으나, 이를 넘어서 미국 외의 지역에서 제조․판매된 피고 제품의 매출액까지 반영하여야 한다는 주장부분까지 받아들이기는 어렵다
3)
피고 제품 매출액 중 이 사건 특허권의 실시에 따른 초과매출액
가) 가상 실시료 요율에 의한 산정
먼저 이 사건 특허권에 관한 가상의 실시료 요율을 파악하는 데에 비교적 객관적 자료에 해당한다고 보이는 위 ‘Royalty Source 데이터베이스 거래사례 분석’ 결과를 기초로 한다(피고는 위 거래사례 분석결과에 이 사건 특허권과 무관한 LCD 기술에 관한 거래사례나 실제로 성사되지 아니한 거래사례에 대한 결과까지 포함되어 있다고 지적하나, LCD 기술에 관한 거래사례가 반도체 분야에 속하지 않는다고 단정하기 어렵고 실제로 성사되지 아니한 거래사례라 하더라도 그 분석의 대상 자체가 되지 못한다고 보기도 어려우므로, 피고가 지적하는 위의 사유가 존재한다고 하더라도 위 거래사례 분석결과를 원용하여 이를 판단의 기초로 삼는 데에 장애가 된다고 볼 수는 없다).
그런데 위 거래사례 분석결과 중 평균값 4.3%는 중앙값 2.8%보다 대단히 높은 수치인데, 이는 79건이라는 제한된 대상사례 중에서 이례적으로 높게 나타난 최고 30.0%라는 특정 사례가 존재하는 등의 사정에 기인한 것으로 보이므로, 피고 제품이 속하는 반도체 분야에서 분석대상이 되는 개별사례의 해당 특허권들의 구체적 가치를 차치할 때 그 실시료 요율의 전체 범위에서 중앙값을 이루는 2.8%라는 수치가 이 사건 특허권에 대한 가상 실시료 요율을 파악하기 위하여 구체적으로 원용하기에 보다 적절한 것으로 판단된다. 이러한 점에다 포괄적인 실시허락에 따른 실시료 요율이 정해지는 일반적인 경향과 피고 제품과 관련한 피고의 특허보유 현황 등의 사정들까지 보태어 보면, 피고가 다수의 특허권을 일괄하여 실시허락을 하는 경우가 아니라 이 사건 특허권이라는 단일한 특허권에 관하여 실시허락을 할 경우에 있어서 그 가상의 실시료 요율은 위 중앙값을 넘을 수는 없고 이를 하회하는 2%의 선에 그칠 것이라고 보는 것이 타당하다.
이상의 점들을 종합하여, 위 2%라는 가상의 실시료 요율을 피고 제품 매출액 중에서 이 사건 특허권의 실시에 따른 초과매출액이 차지하는 비율로 정하기로 한다
4)
초과매출액 중 독점배타적 실시에 따른 초과이익
이 사건 특허권의 기술적 가치는 다음과 같이 요약할 수 있다. 즉 이사건 특허권의 대상이 되는 제1항․제11항 특허발명은 이 사건 직무발명에서 발견되는 위와 같은 기술적 특징을 그대로 담고 있는 것으로서, Gate Last 방식에서 ‘ㄷ’자 형상으로 블로킹 막을 형성한다는 피고의 기존 기술을 E BiCS 방식에서 기술적 동기를 찾아 구현한 위와 같은 3D VNAND에 접목함으로써, 앞서 본 것처럼 게이트 재료의 가공․변경과 그에 따른 금속 게이트의 구현이 용이하도록 하였다는 데에 핵심적인 기술가치가 있다고 할 것이다(피고 제품도 그 컨트롤 게이트가 금속 게이트로 형성되는 것임은 원․피고 사이에 다툼이 없다).
제1항․제11항 특허발명에 위와 같은 특허무효사유가 있다고 하더라도 경쟁관계에 있는 제3자가 그와 같은 사정을 용이하게 알 수 있었다거나 그에 따라 피고가 현실적으로 이 사건 특허권으로 인한 독점배타적 이익을 전혀 얻지 못하였다고 보기는 어렵다. 따라서 제1항․제11항 특허발명에 위와 같은 특허무효사유가 있다고 하더라도 그러한 점만으로 이 사건 특허권에 따른 피고의 독점배타적 이익을 일률적으로 부정할 수는 없고, 다만 피고가 이 사건 특허권을 독점배타적으로 실시하는 지위를 취득함에 따른 매출액이 차지하는 비율 즉 독점권 기여율을 정하는 데에 이를 부정적 요소로 고려함이 타당하다.
이상과 같이, ① 이 사건 특허권은 Gate Last 방식에서 ‘ㄷ’자 형상으로 블로킹막을 형성한다는 개념의 피고의 기존 기술을 3D VNAND에 접목함으로써 금속 게이트의 구현이 용이하도록 하였다는 것, 즉 저장용량 증대를 위해 새롭게 모색되던 3D VNAND 기술에 피고의 위 기존 기술을 그대로 접목하는 것으로 향후 제품개발의 방향을 정하였다는 데에서 그 핵심적인 가치를 찾을 수 있다. ② 그러나 이 사건 특허권에는 진보성이 부정되는 무효사유가 있을 뿐만 아니라, ③ 피고 제품에는 이 사건 특허권이 실시된 메모리 소자 이외도 다양한 기술이 적용되는 여러 부품들이 함께 포함되어 있고, ④ 피고 제품의 경쟁력 확보에는 다른 경쟁업체들에 비해 차별화된 에칭기술 등의 피고의 기존 기술력과 셀 구조 변경 등에 관한 피고의 기술개발노력이 함께 반영된 것이었다.
위의 점들을 두루 참작하여 볼 때, 이 사건 특허권의 실시에 따른 초과매출액 중에서 피고가 통상실시권을 넘어서 이 사건 특허권을 독점배타적으로 실시하는 지위를 취득함에 따른 매출액(초과이익)이 차지하는 비율로서 독점권 기여율을 5%라고 정하는 것이 타당하다고 판단된다.
5)
소결
이상을 종합하면, 이 사건 직무발명에 대한 보상금으로서 원고가 구하는 2013년부터 2017년까지 피고 제품의 제조․판매를 통한 이 사건 특허권의 실시에 따른 보상금을 산정하기 위한 피고의 사용자 이익은 7,221,690,830원(= 매출액 7,221,690,830,000원 × 가상 실시료 요율 2% × 독점권 기여율 5%)이라고 할 것이다. 결국 원고의 사용자 이익 주장은 위 인정 범위 내에서 이유 있다.
다. 원고의 발명자 공헌도
1)
피고의 사용자 공헌도
가) 앞서 본 것처럼, 이 사건 특허권을 낳은 이 사건 직무발명은 E BiCS 방식에서 기술적 동기를 찾아 구현한 3D VNAND 기술에다 피고의 기존 기술을 그대로 접목하는 것이었고, 피고의 위 기존 기술은 990 특허발명에서 발견되는 것처럼 전하저장막과 블로킹 막 등을 게이트 패턴을 둘러싸는 ‘ㄷ’자 형상으로 하면서 게이트 패턴을 나중에 형성하는 Gate Last 기술이었다. 그렇다면 앞서 본 것처럼 저장용량 증대를 위해 새롭게 모색되던 위의 3D VNAND 기술에 Gate Last 기술을 접목하는 것으로 제품개발의 방향을 정한 데에 이 사건 직무발명의 가치가 있다고 하더라도, 이 사건 직무발명은 결국 피고가 기존에 보유한 Gate Last 기술과 이를 확보하기 위하여 피고가 투여했던 연구개발 투자에 주요한 기반을 두는 것으로서, 이러한 피고의 기존 기술과 연구개발성과가 없었다면 위와 같은 가치를 달성하는 이 사건 직무발명에 이르지 못하였을 것이라고 보아야 한다.
나) 또한 앞서 본 것처럼 피고가 피고 제품의 제조를 위한 다수의 특허권을 보유하고 있을 뿐만 아니라 피고가 높은 영업이익률을 보이면서 NAND 제품을 제조․판매하여 온 사정 등에 비추어 보면, 이 사건 직무발명 당시 피고가 저장용량을 증대시킨 새로운 메모리 소자의 개발을 위하여 지속적인 투자를 해 온 것으로 넉넉히 추단된다.
다) 이와 달리 원고는 갑 제34호증(원고 작성 진술서)을 통하여 ‘피고의 제품개발부서에서는 이 사건 직무발명의 완성 이후에도 양산모델의 제작․검증 등에 관심을 기울이거나 이를 지원하지 아니하였다’는 취지로 주장하나, 앞서 본 피고의 기술개발에 관한 사정들에 비추어 볼 때 원고의 이러한 주장은 그대로 받아들이기 어렵다.
라) 위의 점들을 종합하여 볼 때, 피고가 사용자로서 이 사건 직무발명의 완성에 공헌한 정도는 80%라고 봄이 타당하다
2)
원고의 발명자 기여율
가) 앞서 본 것처럼, 이 사건 직무발명은 수직 채널의 주위로 전하저장층과 게이트 전극이 형성되는 3D VNAND에 관한 발명으로서, 메모리 소자의 성능 향상을 위해 LEG 공정에 의한 단결정 수직 채널 및 열산화 공정에 의한 터널산화막을 포함하는 3D VNAND의 제조방법을 제시하는 것에서 출발한 것이다. 그리고 이 사건 직무발명에서 E BiCS 방식에 접목하려 하였던 피고 측의 LEG 공정 기술은 원고와 D이 공저자로 있는 LEG 논문에 담겨있는 기술이었다.
나) 위와 같은 배경에 있는 이 사건 직무발명의 완성에 관하여 공동발명자인 원고 및 D이 각각 공헌한 정도를 가려낼 만한 직접적인 자료가 없다. 그런데 이 사건 직무발명 당시 원고는 약 11년에 걸친 반도체 공정과 관련한 국내외 실무경력을 가지고 있었던 것에 비하여 D은 약 4년의 동종 경력을 가지고 있는 데에 불과하였고, 또 원고가 피고 공정개발팀의 수석연구원으로서 D이 속한 ‘3D memory Stack’ 파트의 책임자였음에도, D은 이 사건 직무발명에 관한 원고의 발명자 지분율을 자신보다 낮은 30%로 신고하였던 점은 앞서 본 바와 같고, 이에 관하여 원고가 어떠한 이의를 하였다는 사정이 발견되지 아니한다.
다) 사정이 위와 같은 이상, 원고 및 D이 공동발명자로서 이 사건 직무발명의 완성에 공헌한 정도에서 원고가 기여한 부분이 차지하는 비율에 관하여는, 누구보다도 이 사건 직무발명의 완성 경위에 관하여 잘 알고 있었을 것으로 보이는 D과 원고 사이에 이의 없이 확인된 것으로 추단되는 위 30%의 비율에 상당하다고 보는 것이 타당하다.
3)
검토결과의 정리
이상을 종합하면, 원고가 이 사건 직무발명의 완성에 공헌한 정도 6%[= 원고 및 D 의 발명자 공헌도 20%(= 100% – 피고의 사용자 공헌도 80%) × 원고의 발명자 기여율 30%]라고 할 것이다. 발명자 공헌도에 관한 원고의 주장은 위 인정 범위 내에서 이유 있다.
라. 소결
1)
이상의 검토결과를 종합하여 볼 때, 피고는 원고에게 이 사건 직무발명에 대한 정당한 보상금으로서 원고가 구하는 2013년부터 2017년까지의 기간에 대한 실시보상금 433,301,449원(= 피고의 사용자 이익 7,221,690,830원 × 원고의 발명자 공헌도 6%, 원 미만 버림)을 지급할 의무가 있다.
정회목 변호사
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